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Proponen la UltraRAM como solución de almacenamiento híbrida en silicio de baja potencia y alta resistencia

Investigadores del Departamento de Física e Ingeniería de la Universidad de Lancaster (Reino Unido) han compartido sus avances en el desarrollo de componentes electrónicos, con una solución que aunaría la RAM y la memoria de almacenamiento en lo que han llamado UltraRAM.

UltraRAM se ha definido como «una memoria basada en carga donde el estado lógico está determinado por la presencia o ausencia de electrones en una puerta flotante», y con ella los investigadores de la Universidad de Lancaster buscan resolver en un mismo componente los principales problemas que se encuentran en las memorias de almacenamiento de datos, como flash y las de trabajo, como DRAM.

De la DRAM señalan que para obtener una memoria «rápida y de alta resistencia» parece que se necesita un «estado lógico frágil que se pierde fácilmente», mientras que en el caso de la memoria flash apuntan que al tener un estado lógico robusto y no volátil «requiere grandes cantidades de energía para cambiar, lo que daña la estructura de la memoria y reduce la resistencia», como se recoge en el texto de la investigación.

En la UltraRAM convergen una serie de novedades, aunque los investigadores han destacado la estructura de túnel resonante de triple barrera (TBRT), ya que con ella se puede conseguir «una memoria basada en carga con propiedades extraordinarias«. Si se compara con las barreras de una sola capa, «se puede cambiar de un estado altamente resistivo eléctricamente a un estado altamente conductivo mediante la aplicación de solo +-2,5V», apuntan.

La idea es incorporar la estructura TBRT en sustratos de silicio, porque entre sus ventajas se encuentra la resistencia mecánica y los tamaños de obleas grandes, facilitando al mismo tiempo un alto volumen de producción y la reducción de los costes.