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Guerra en la memoria

Cada día se suben a Facebook más de 300 millones de fotos y se publican más de 200 millones de tuits. Y son solo una pequeña parte de la información que generan, almacenan y comparten los humanos, que crece de forma exponencial. Se ha calculado que en 2011 se alcanzaron los 2 zettabytes ?2 millones de gigabytes, equivalentes a más de 425.000 DVDs?. En 2013 se doblará esa cifra.

Toda esa información tiene que guardarse. Los fabricantes de memorias y discos duros viven en una constante búsqueda de nuevas tecnologías que permitan mantener el ritmo de los tiempos y almacenar más información en menos espacio. Hoy se puede comprar una tarjeta Micro SD, que apenas pesa 1 gramo y mide 1,5 centímetros en su lado más largo, con capacidad para almacenar 64 gigabytes de datos ?unos 13 DVDs?, por menos de 50 euros.

Detrás de los principales avances de los últimos años está la tecnología NAND Flash, que aprovecha algunos efectos cuánticos para grabar la información en forma de cargas eléctricas en un material denominado ?silicio policristalino?. Además de las tarjetas de memoria, gracias a ella ahora hay discos duros ?conocidos como SSD, ?discos de estado sólido?? más rápidos y fiables.

RRAM, la candidata

Una nueva tecnología pretende arrebatarle el protagonismo. Presentada hace unos días por la ?start-up? estadounidense Crossbar, promete aún más capacidad, mayor velocidad, menor consumo energético y además, 10 veces más vida útil. Se llama RRAM, y en vez de almacenar los datos como cargas, lo hace como resistencias eléctricas.

«Las tecnologías de las memorias no volátiles actuales están perdiendo fuelle, chocando contra numerosas barreras según progresan a procesos de fabricación más miniaturizados», ha asegurado George Minassian, CEO de la ?start-up?, en un comunicado. Afirma que su RRAM, que todavía está en fase de prototipo, permite superar todas las barreras técnicas a las que ya se enfrenta la tecnología NAND Flash. «Esta nueva generación de memoria no volátil es capaz de almacenar hasta un terabyte (1000 gigabytes) en un chip del tamaño de un sello postal», afirma la compañía en su nota de prensa.

«La tecnología de Crossbar ofrece 20 veces más velocidad de escritura, 20 veces menos consumo energético y una vida útil 10 veces superior», explica la empresa. Un consumo reducido ayudaría a alargar la vida de las baterías de smartphones, tablets, portátiles y otros dispositivos móviles. La mayoría usan, en la actualidad, almacenamiento NAND. Además, RRAM remediaría la esperanza de vida ?de dos o tres años, en promedio? de estas memorias. Un problema que, además, se hace más serio según avanza la miniaturización.

V-NAND, otro paso

Pero la sucesión de una por otra no está asegurada. Aparte de tener que probar que la tecnología RRAM se puede fabricar a buen precio, y con garantías, NAND todavía no ha dicho su última palabra. Samsung ha presentado, apenas 24 horas después de la presentación de Crossbar, sus planes para darle empujón. En un comunicado afirman haber desarrollado ?y empezado a producir en masa? una manera de almacenar cargas eléctricas que permite más capacidad, más velocidad y, sobre todo, una vida útil superior.

La multinacional coreana ha denominado V-NAND a su próxima generación de memorias no volátiles, y CTF a la técnica física en la que se basa. Según afirman, permitirá «al menos duplicar» la vida útil de estas, así como la velocidad de escritura de datos. ¿Cuál se impondrá?